※定員に達しましたので、申し込み受け付けは終了しました。
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～京都が拓くグリーンイノベーション～
第１回技術フォーラム「SiCパワーデバイスを活かす」

いよいよ実用化段階に入ってきたSiCパワーデバイスの幅広い応用分野への普及のため、関連する産業界への技術周知・普及、ユーザー企業の発掘が今後、ますます重要です。特に、本技術の発祥の地であり、その発展を担ってきた京都を中心とした関西地域において、中小企業をはじめ関連企業の参画による地域産業振興に貢献するため、最新のSiCパワーデバイスおよびその関連技術の技術普及・交流を目的とした技術フォーラムを開催します。

 

 

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※申し込み受け付けは終了しました。

 

■日時：平成22年7月5日（月）　13:30－17:00（交流会　17:30－19:00）

■会場：（独）科学技術振興機構　JSTイノベーションプラザ京都　セミナー室
〒615-8245　京都市西京区御陵大原1-30
会場HP　http://www.kyoto.jst-plaza.jp/
地図・アクセス方法　http://www.kyoto.jst-plaza.jp/access/index.html
（交流会：京大桂ベンチャープラザ　http://www.kkvp.jp/）

 

■主催：文部科学省地域イノベーションクラスタープログラム 京都環境ナノクラスター
（中核機関　(財) 京都高度技術研究所）

 

■プログラム：

13:30 ～ 13:35	挨拶
	京都環境ナノクラスター　事業総括　　市原達朗

13:35 ～ 13:55	基調講演　　「ここまで来たSiCパワーデバイス実用化」
	（独）科学技術振興機構　JSTイノベーションプラザ京都　館長　　松波弘之　氏

13:55 ～ 14:40	SiCデバイス
	SiC SBD/MOSFET	ローム株式会社　センター長　　中村　孝　氏
	SiC RESURF-JFETの開発	住友電気工業株式会社　開発室次長　　並川靖生　氏
	SiC　インバータ	三菱電機株式会社　主席研究員　　中田修平　氏

14:40 ～ 15:10	SiCウェハ
	SiC基板ウェハ	新日本製鐵株式会社　主幹研究員　　柘植弘志　氏
	SiCエピタキシャルウェハ	昭和電工株式会社　プロジェクトマネージャ　佐藤貴幸　氏

15:10 ～ 15:20

休 憩

15:20 ～ 15:50	SiCデバイス応用
	自動車応用SiCデバイス	株式会社デンソー　部長　　恩田正一　氏
	家電応用SiCデバイス	パナソニック株式会社　参事　　北畠　真　氏

15:50 ～ 16:20	関連技術・システム
	Siパワーデバイス	富士電機システムズ株式会社　部長　　藤島直人　氏
	太陽光発電用パワーコンディショナ	日新電機株式会社　グループ長　　栗尾信広　氏

16:20 ～ 16:50	技術コメント
	京都大学　木本恒暢　教授 京都大学　引原隆士　教授 大阪大学　舟木　剛　教授

 

 

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■参加対象：
関西地区を中心とする企業（中小企業歓迎）の経営者・技術者・研究者
■参加費：
フォーラム無料(交流会3,500円)・定員70名(先着順)

 

■お問合せ：
(財)京都高度技術研究所京都知的クラスター本部　　担当：柴田
TEL 075-315-6603 / FAX 075-315-3695
E-mail cluster@astem.or.jp

 

FAX又はE-mail（氏名、勤務先 役職、電話番号、メールアドレス、個人情報の提供に同意する旨を記入）で、
FAX 075-315-3695　または E-mail cluster@astem.or.jp までご連絡ください。